| Prise en charge TRIM, ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), Adaptive Thermal Protection, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, 3D NAND Technology, Support de mise en veille de l'appareil, NVM Express (NVMe), Autonomous Power State Transition (APST), immunité contre les pertes de puissance, S.M.A.R.T. |